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长江加油追吧!国际闪存容量、性能双世界第一
铠侠正式宣告与闪迪联合研发的第
10 代 BiCS 3D NAND 闪存问世。此款闪存于堆叠层数、存储密度以及接口速率性能等方面,均实现了新的突破,达到了全新高度。铠侠第 10 代闪存以 332 层的堆叠层数创造了行业纪录,其容量与性能在全球范围内亦处于领先地位。
铠侠新型闪存采用
CBA 双晶圆键合技术,分别制造 CMOS 控制电路与 NAND 存储阵列,随后进行键合操作。这一技术思路与长江存储的 Xtacking 晶栈架构存在相似之处 。该闪存的 3D 堆叠层数达到了前所未有的 332 层,相较于第 8 代的 218 层增加了 38%,且超越了 SK 海力士的 321 层、三星的 290 层、美光的 276 层以及西数的 218 层。铠侠计划在 2027 年实现 1000 层堆叠的 3D 闪存研发目标。
凭借更多层数的堆叠,该闪存的存储密度宣称提升了
59%,约为每平方毫米 36.4Gb,大幅领先于其他同行。西数仅达到每平方毫米 22.9Gb,SK 海力士则不过每平方毫米 20Gb。然而,铠侠目前尚未公布具体的闪存类型(TLC/QLC)以及单 Die 容量。
凭借更多层数的堆叠,该闪存的存储密度宣称提升了 59%,约为每平方毫米 36.4Gb,大幅领先于其他同行。西数仅达到每平方毫米 22.9Gb,SK 海力士则不过每平方毫米 20Gb。然而,铠侠目前尚未公布具体的闪存类型(TLC/QLC)以及单 Die 容量。
新型闪存同时支持
Toggle DDR 6.0 接口规范,传输速度高达 4800MT/s,较前代提升了 33%,创造了新的速度纪录,超过了美光、西数的 3600MT/s。此外,铠侠此次还引入了 PI-LTT 低功耗技术,可使输入功耗降低 10%,输出功耗降低 34%,能够更好地契合 AI 技术的应用需求。
在近期的投资者日活动中,闪迪披露了开发容量高达
PB 级固态硬盘的计划,但遗憾的是,在其路线图中并未明确具体的时间节点。
这一目标将通过其
UltraQLC 技术达成。UltraQLC 并非一种新型内存,而是闪迪自主研发的 BICS 8 QLC 3D NAND、高端专用控制器(支持 64 个 NAND 通道)以及固件的组合体。该平台的核心在于其定制的控制器,融合了专用硬件加速器,能够将关键存储任务从固件中分离出来,进而降低延迟、提高带宽,并增强在超大规模存储环境中的可靠性。此外,该控制器还可根据工作负载自动调整功耗,以确保最佳的能效表现。
UltraQLC 固态硬盘将采用 2Tb NAND 内存 IC 来实现 128TB 的存储容量。尽管 64 通道的控制器从理论上能够支持更高的容量,但这样做可能会对性能产生一定影响。展望未来,闪迪预计将开发更高容量的 NAND 设备,这将促使 SSD 的容量逐步扩展至 256TB、512TB,并在未来数年内实现 1PB 的目标。
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